onsemi IGBT-Modul / 73 A ±20V max. 6-fach, 1000 V 79 W 93x47 (Presspassung) (bleifreie und halidefreie

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RS Best.-Nr.:
245-6968
Herst. Teile-Nr.:
NXH300B100H4Q2F2PG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

73 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1000 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

79 W

Anzahl an Transistoren

6

Gehäusegröße

93x47 (Presspassung) (bleifreie und halidefreie Presssitzstifte), Q2BOOST - PIM53

Das on Semiconductor Q2BOOST-Modul ist ein integriertes Leistungsmodul mit hoher Dichte, das leistungsstarke IGBTs mit einer 1200-V-SiC-Diode kombiniert.

Extrem effizienter Trench mit Feldstopp-Technologie
Geringe Schaltverluste reduzieren die Verlustleistung des Systems
Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte
Niedrige induktive Anordnung
3 Kanäle im Q2BOOST-Gehäuse
Dies sind bleifreie Geräte

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