onsemi IGBT-Modul / 75 A ±20V max. Quad, 1200 V 188 W Q0PACK - Gehäuse 180AB (bleifrei und halogenfrei)

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245-6993
Herst. Teile-Nr.:
NXH80T120L3Q0S3G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

75 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

188 W

Anzahl an Transistoren

4

Gehäusegröße

Q0PACK - Gehäuse 180AB (bleifrei und halogenfrei)

Das on Semiconductor Q0PACK-Modul ist ein Leistungsmodul mit einem T-Neutralleiter, der mit einer dreistufigen Wechselrichterstufe geklemmt ist. Die integrierten Feldstopp-Trench-IGBTs und Dioden mit schneller Erholung sorgen für geringere Leitungsverluste und Schaltverluste und ermöglichen es Entwicklern, einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit zu erreichen.

Geringe Schaltverluste
Niedriger VCEsat
Kompaktes Gehäuse, 65,9 x 32,5 x 12 mm
Optionen mit vorinstalltem thermomem Schnittstellenmaterial und ohne voreingesetzte TIM
Optionen mit lötbaren Stiften und Presssitzstiften Thermistor

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