onsemi IGBT-Modul / 61 A ±20V max. Dual, 1200 V 186 W Gehäuse 180BF (bleifrei und halidefrei) Pressstifte
- RS Best.-Nr.:
- 245-6961
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH100B120H3Q0PG
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 245-6961
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH100B120H3Q0PG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 61 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 186 W | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | Gehäuse 180BF (bleifrei und halidefrei) Pressstifte | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 61 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 186 W | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße Gehäuse 180BF (bleifrei und halidefrei) Pressstifte | ||
Das on Semiconductor Dual Boost Power Module ist ein Leistungsmodul mit einer zweifachen Boost-Stufe. Die integrierten Feldstopp-Trench-IGBTs und SiC-Dioden sorgen für geringere Leitungsverluste und Schaltverluste und ermöglichen es Entwicklern, einen hohen Wirkungsgrad und eine überragende Zuverlässigkeit zu erreichen.
1200-V-Ultrafeldstopp-IGBTs
SiC-Dioden mit niedriger Rückwärtsrückgewinnung und schneller Schaltung
1600-V-Bypass- und antiparallele Dioden
Niedrige induktive Anordnung
Lötbare Stifte oder Pressstifte
Thermistor-Optionen mit vorinstalltem thermischem Schnittstellenmaterial und ohne vorinstallierte TIM
SiC-Dioden mit niedriger Rückwärtsrückgewinnung und schneller Schaltung
1600-V-Bypass- und antiparallele Dioden
Niedrige induktive Anordnung
Lötbare Stifte oder Pressstifte
Thermistor-Optionen mit vorinstalltem thermischem Schnittstellenmaterial und ohne vorinstallierte TIM
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