onsemi IGBT-Modul / 61 A ±20V max. Dual, 1200 V 186 W Gehäuse 180AJ (bleifrei und halogenfrei) Lötstifte

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Herst. Teile-Nr.:
NXH100B120H3Q0SG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

61 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

186 W

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

Gehäuse 180AJ (bleifrei und halogenfrei) Lötstifte

Das on Semiconductor Dual Boost Power Module ist ein Leistungsmodul mit einer zweifachen Boost-Stufe. Die integrierten Feldstopp-Trench-IGBTs und SiC-Dioden sorgen für geringere Leitungsverluste und Schaltverluste und ermöglichen es Entwicklern, einen hohen Wirkungsgrad und eine überragende Zuverlässigkeit zu erreichen.

1200-V-Ultrafeldstopp-IGBTs
SiC-Dioden mit niedriger Rückwärtsrückgewinnung und schneller Schaltung
1600-V-Bypass- und antiparallele Dioden
Niedrige induktive Anordnung
Lötbare Stifte oder Pressstifte
Thermistor-Optionen mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien und ohne vorinstallierte TIM

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