Bourns IGBT / 5 A ±30V max. , 600 V 82 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
253-3499
Herst. Teile-Nr.:
BIDD05N60T
Marke:
Bourns
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Marke

Bourns

Dauer-Kollektorstrom max.

5 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±30V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

82 W

Gehäusegröße

TO-252

Konfiguration

Einfachdiode

Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus verbessert diese Struktur die Robustheit des Geräts.

600 V, 5 A, niedrige VCE(sat)
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
Robust
RoHS-konform

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