Bourns IGBT / 40 A, 600 V 192 W TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 253-3505
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDW20N60T
- Marke:
- Bourns
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- BIDW20N60T
- Marke:
- Bourns
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Bourns | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 192W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Serie | BIDW20N60T | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Bourns | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 192W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Serie BIDW20N60T | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einem geringeren Leitungsverlust und weniger Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen positiven Temperaturkoeffizienten.
600 V, 20 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
Niedriger Schaltverlust
RoHS-konform
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