Teile-Nr.

Bourns IGBT / 20 A ±20V max. , 600 V 192 W TO-247

RS Best.-Nr.:: 253-3504
Herst. Teile-Nr.:: BIDW20N60T
Marke:: Bourns

Bourns IGBT / 20 A ±20V max. , 600 V 192 W TO-247

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RS Best.-Nr.:: 253-3504
Herst. Teile-Nr.:: BIDW20N60T
Marke:: Bourns

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Bourns
	Dauer-Kollektorstrom max.	20 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	600 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	192 W
	Anzahl an Transistoren	1
	Konfiguration	Einfachdiode
	Gehäusegröße	TO-247

	Alle auswählen
	Marke Bourns
	Dauer-Kollektorstrom max. 20 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 600 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 192 W
	Anzahl an Transistoren 1
	Konfiguration Einfachdiode
	Gehäusegröße TO-247

Datasheet - BIDW20N60T

Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einem geringeren Leitungsverlust und weniger Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen positiven Temperaturkoeffizienten.

600 V, 20 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
Niedriger Schaltverlust
RoHS-konform

Bourns IGBT / 20 A ±20V max. , 600 V 192 W TO-247

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