Bourns IGBT / 100 A, 650 V TO-247

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253-3509
Herst. Teile-Nr.:
BIDW50N65T
Marke:
Bourns
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Marke

Bourns

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

100A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Gehäusegröße

TO-247

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE )

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen niedrigeren Wärmewiderstand R(th).

650 V, 50 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))

Trench-Gate-Field-Stop-Technologie

Optimiert für Leitfähigkeit

RoHS-konform

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