Infineon IGBT / 161 A, 650 V 536 W TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-0992
- Herst. Teile-Nr.:
- IGZ100N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0992
- Herst. Teile-Nr.:
- IGZ100N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 161A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 536W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 161A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 536W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon TRENCHSTOP 5 IGBT-Technologie ist ein Hochleistungsgehäuse mit einem zusätzlichen Kelvin-Emitter-Stift. Der 4-polige TO-247 bietet eine extrem niedrige Induktivität für die Gate-Emitter-Steuerschleife und bringt den TRENCHSTOP 5 IGBT auf die nächste Stufe der besten Schaltleistung seiner Klasse. Das TO-247-Standard-Gerätebaugruppengehäuse wurde übernommen und ein zusätzlicher, vierter Pin hinzugefügt, um die Kelvin-Emitter-Konfiguration zu ermöglichen.
Extrem niedrige Steuerinduktivitätsschleife
Emitterstift für Treiberfeedback
Erhöhung des Nutzens bei hohen Stromverhältnissen
IGBTs arbeiten unter niedrigerer Anschlusstemperatur
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