Infineon IGBT / 161 A, 650 V 536 W TO-247

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258-0993
Herst. Teile-Nr.:
IGZ100N65H5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

161A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

536W

Gehäusegröße

TO-247

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 ±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC

Serie

High Speed Fifth Generation

Automobilstandard

Nein

Die Infineon TRENCHSTOP 5 IGBT-Technologie ist ein Hochleistungsgehäuse mit einem zusätzlichen Kelvin-Emitter-Stift. Der 4-polige TO-247 bietet eine extrem niedrige Induktivität für die Gate-Emitter-Steuerschleife und bringt den TRENCHSTOP 5 IGBT auf die nächste Stufe der besten Schaltleistung seiner Klasse. Das TO-247-Standard-Gerätebaugruppengehäuse wurde übernommen und ein zusätzlicher, vierter Pin hinzugefügt, um die Kelvin-Emitter-Konfiguration zu ermöglichen.

Extrem niedrige Steuerinduktivitätsschleife

Emitterstift für Treiberfeedback

Erhöhung des Nutzens bei hohen Stromverhältnissen

IGBTs arbeiten unter niedrigerer Anschlusstemperatur

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