Infineon IGBT / 75 A, 650 V 536 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage

Dieser IGBT ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für die Leistungsumwandlung und -steuerung in anspruchsvollen industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen erweiterten Temperaturbereich und wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für eine einfache Montage und Kühlkörperbefestigung geliefert. Das Gerät eignet sich für Anwendungen, die eine hohe Kollektorstrombelastbarkeit und ein effizientes Schalten mit geringen Sättigungsverlusten erfordern.

• 650 V Blockierfähigkeit unterstützt Hochspannungsschaltung
• 75 A kontinuierlicher Kollektorstrom ermöglicht Hochstrombetrieb
• Niedrige Vce(sat) von 1,35 V reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 536 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• Die Gate-Emitter-Bewertung von 20 V ermöglicht robuste Gate-Antriebsmargen
• Die Energieeinstufung von 7,22 mJ ermöglicht Schaltvorgänge mit hoher Energie

• Geeignet für industrielle Motor-Frequenzumrichter
• Verwendung mit Stromversorgungen in unterbrechungsfreien Systemen
• Ideal für Hochleistungsumrichter und USV-Einheiten
• Kann für Induktionsheizungs- und Schweißleistungsstufen verwendet werden
• Geeignet für Wechselrichter-Stromversorgungsabschnitte für erneuerbare Energien

Er wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine direkte Befestigung an Standard-Kühlkörpern und eine herkömmliche Schraubmontage für eine effiziente Wärmeübertragung ermöglicht.

Das Gerät ist für den Betrieb von -40 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen und erhöhten Sperrschichttemperaturen.

Die maximale zulässige Gate-Emitter-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber innerhalb dieses Bereichs bleiben müssen, um eine Gate-Oxid-Belastung zu vermeiden.

Es ist RoHS-konform, ist aber nicht als Kfz-Standardgerät klassifiziert, daher sollte es vor dem Einsatz auf kfz-spezifische Anforderungen geprüft werden.