Infineon IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 120 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 232-6745
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH60N65WR6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 232-6745
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH60N65WR6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 120 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | To-247-3-HCC | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 120 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße To-247-3-HCC | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Der 60-A-Trenchstop 5 WR6-IGBT von Infineon ist in einem TO-247-3-HCC-Gehäuse mit hohem Kriechgang und Spiel erhältlich. Er ist speziell für PFC für RAC/CAC- und Schweißwechselrichteranwendungen optimiert. Das ausgezeichnete Preis-Leistungs-Verhältnis des WR6 IGBT ermöglicht den Zugriff auf die Hochleistungstechnologie auch für kostenempfindliche Kunden. WR6 bietet niedrigste VCEsat und ESW, was eine Schaltfrequenz von bis zu 75 kHz ermöglicht. WR6 IGBT ermöglichen außerdem eine zuverlässigere Bauweise mit den erhöhten Abständen und Kriechstrecken.
Monolithisch integrierte Diode
Niedrigste Schaltverluste
Verbesserte Zuverlässigkeit gegen Verschmutzung des Gehäuses
Niedrigste Schaltverluste
Verbesserte Zuverlässigkeit gegen Verschmutzung des Gehäuses
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