Infineon IGBT / 30 A ±20V max. , 650 V 95 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 232-6735
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH30N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.64.59
Auf Lager
- Zusätzlich 90 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.2.153 | CHF.64.64 |
| 60 - 120 | CHF.2.048 | CHF.61.39 |
| 150 - 270 | CHF.1.964 | CHF.58.81 |
| 300 - 570 | CHF.1.869 | CHF.56.23 |
| 600 + | CHF.1.785 | CHF.53.65 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 232-6735
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH30N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 95 W | |
| Gehäusegröße | To-247-3-HCC | |
| Konfiguration | Single | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 95 W | ||
Gehäusegröße To-247-3-HCC | ||
Konfiguration Single | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Der 30-A-Trenchstop 5 WR5 IGBT von Infineon ist in einem TO-247-3-HCC-Gehäuse mit hohem Kriechgang und Spiel erhältlich. Er ist speziell für PFC-Stufen in RAC/CAC- und DC/DC-Schweißanwendungen optimiert. Das ausgezeichnete Preis-Leistungs-Verhältnis des WR5 IGBT ermöglicht den Zugriff auf die Hochleistungstechnologie auch für preisbewusste Kunden. WR5 IGBT in TO-247-3-HCC ermöglichen außerdem eine zuverlässigere Bauweise mit den größeren Spiel- und Kriechstrecken.
Monolithisch integrierte Diode
Stabiles Temperaturverhalten
Verbesserte Zuverlässigkeit gegen Verschmutzung des Gehäuses
Stabiles Temperaturverhalten
Verbesserte Zuverlässigkeit gegen Verschmutzung des Gehäuses
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 30 A ±20V max. , 650 V 95 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal
- Infineon IGBT / 20 A ±20V max. , 650 V 70 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal
- Infineon IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 103 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal
- Infineon IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 120 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal
- Infineon IGBT / 70 A ±20V max. , 650 V 145 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal
- Infineon IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 78 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A ±20V max. , 650 V 83 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal
- Infineon IGBT / 75 A 20V max. , 650 V 395 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
