Infineon IGBT / 60 A, 650 V 190 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 232-6736
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH30N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH30N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 60A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | IKWH30N65WR5 | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 60A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Serie IKWH30N65WR5 | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 30-A-Trenchstop 5 WR5 IGBT von Infineon ist in einem TO-247-3-HCC-Gehäuse mit hohem Kriechgang und Spiel erhältlich. Er ist speziell für PFC-Stufen in RAC/CAC- und DC/DC-Schweißanwendungen optimiert. Das ausgezeichnete Preis-Leistungs-Verhältnis des WR5 IGBT ermöglicht den Zugriff auf die Hochleistungstechnologie auch für preisbewusste Kunden. WR5 IGBT in TO-247-3-HCC ermöglichen außerdem eine zuverlässigere Bauweise mit den größeren Spiel- und Kriechstrecken.
Monolithisch integrierte Diode
Stabiles Temperaturverhalten
Verbesserte Zuverlässigkeit gegen Verschmutzung des Gehäuses
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