Infineon IGBT / 70 A, 650 V 290 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Schraubanschlussklemme
- RS Best.-Nr.:
- 232-6747
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH70N65WR6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 232-6747
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH70N65WR6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 70A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 21.1mm | |
| Serie | WR6 | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 70A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 21.1mm | ||
Serie WR6 | ||
Höhe 5.21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 70-A-Trenchstop-5-WR6-IGBT von Infineon ist in einem TO-247-3-HCC-Gehäuse mit hohem Kriechgang und Spiel erhältlich. Er ist speziell für PFC für RAC/CAC- und Schweißwechselrichteranwendungen optimiert. Das ausgezeichnete Preis-Leistungs-Verhältnis des WR6 IGBT ermöglicht den Zugriff auf die Hochleistungstechnologie auch für kostenempfindliche Kunden. WR6 bietet niedrigste VCEsat und ESW, was eine Schaltfrequenz von bis zu 75 kHz ermöglicht. WR6 IGBT ermöglichen außerdem eine zuverlässigere Bauweise mit den erhöhten Abständen und Kriechstrecken.
Monolithisch integrierte Diode
Niedrigste Schaltverluste
Verbesserte Zuverlässigkeit gegen Verschmutzung des Gehäuses
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