Infineon IGBT / 80 A +/-20V max. , 600 V 306 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-7436
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW40N60H3FKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 30 - 90 | CHF.2.919 | CHF.87.63 |
| 120 + | CHF.2.678 | CHF.80.33 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7436
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW40N60H3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V | |
| Verlustleistung max. | 306 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. +/-20V | ||
Verlustleistung max. 306 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Infineons IGBT ist ein Hochgeschwindigkeits-IGBT in Trench- und Field-Stop-Technologie. Dieser IGBT hat eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser IGBT wird für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Schweißumrichter und Umrichter mit hoher Schaltfrequenz empfohlen.
Geringe EMI
Niedriger VCEsat
Halogenfrei
RoHS-konform
Pb-freie Bleibeschichtung
Sehr weiche und schnell erholsame Antiparallel-Diode
Niedriger VCEsat
Halogenfrei
RoHS-konform
Pb-freie Bleibeschichtung
Sehr weiche und schnell erholsame Antiparallel-Diode
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