Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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253-9821
Herst. Teile-Nr.:
FP100R12N3T7B11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

FP100R12N3T7_B11

Breite

62.5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

122mm

Höhe

17mm

Automobilstandard

Nein

Die Serie FP100 von Infineon ist ein EconoPIM 3-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT oder NTC.

Niedriger VCEsat-Überlastbetrieb bis zu 175 °C Hohe Leistungs- und Wärmezyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Sockelplatte PressFIT-Kontakttechnologie

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