Infineon IGBT / 600 A Doppelt, 1200 V 20 mW AG-PRIME2 Chassis
- RS Best.-Nr.:
- 260-8893
- Herst. Teile-Nr.:
- FF600R12IP4BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 600A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Konfiguration | Doppelt | |
| Gehäusegröße | AG-PRIME2 | |
| Montageart | Chassis | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.55V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 600A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Konfiguration Doppelt | ||
Gehäusegröße AG-PRIME2 | ||
Montageart Chassis | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.55V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A Halbbrücken-Dual-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT4, emittergesteuerter 4-Diode, NTC und Soft Switching-Chip, auch mit thermischem Schnittstellenmaterial erhältlich. Hohe Kurzschlussfähigkeit, selbstbegrenzender Kurzschlussstrom, VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten.
Erweiterte Betriebstemperatur
Hohe Gleichstromstabilität
Hohe Leistungsdichte
Standardisiertes Gehäuse
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