Infineon IGBT / 600 A Doppelt, 1200 V 20 mW AG-PRIME2 Fahrgestell

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Herst. Teile-Nr.:
FF600R12IP4BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

600A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Anzahl an Transistoren

2

Konfiguration

Doppelt

Gehäusegröße

AG-PRIME2

Montageart

Fahrgestell

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.55V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A Halbbrücken-Dual-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT4, emittergesteuerter 4-Diode, NTC und Soft Switching-Chip, auch mit thermischem Schnittstellenmaterial erhältlich. Hohe Kurzschlussfähigkeit, selbstbegrenzender Kurzschlussstrom, VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten.

Erweiterte Betriebstemperatur

Hohe Gleichstromstabilität

Hohe Leistungsdichte

Standardisiertes Gehäuse

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