Infineon IGBT / 600 A Doppelt, 1200 V 20 mW AG-PRIME2 Fahrgestell

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.562.328

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 3 Einheit(en) mit Versand ab 25. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 1CHF.562.33
2 +CHF.562.27

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-8893
Herst. Teile-Nr.:
FF600R12IP4BOSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

600A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Anzahl an Transistoren

2

Konfiguration

Doppelt

Gehäusegröße

AG-PRIME2

Montageart

Fahrgestell

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.55V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A Halbbrücken-Dual-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT4, emittergesteuerter 4-Diode, NTC und Soft Switching-Chip, auch mit thermischem Schnittstellenmaterial erhältlich. Hohe Kurzschlussfähigkeit, selbstbegrenzender Kurzschlussstrom, VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten.

Erweiterte Betriebstemperatur

Hohe Gleichstromstabilität

Hohe Leistungsdichte

Standardisiertes Gehäuse

Verwandte Links