Infineon IGBT / 600 A Doppelt, 1200 V 20 mW AG-PRIME2 Fahrgestell

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.562.328

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 3 Einheit(en) mit Versand ab 25. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 1CHF.562.33
2 +CHF.562.27

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-8893
Herst. Teile-Nr.:
FF600R12IP4BOSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

600A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

AG-PRIME2

Konfiguration

Doppelt

Montageart

Fahrgestell

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.55V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A Halbbrücken-Dual-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT4, emittergesteuerter 4-Diode, NTC und Soft Switching-Chip, auch mit thermischem Schnittstellenmaterial erhältlich. Hohe Kurzschlussfähigkeit, selbstbegrenzender Kurzschlussstrom, VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten.

Erweiterte Betriebstemperatur

Hohe Gleichstromstabilität

Hohe Leistungsdichte

Standardisiertes Gehäuse

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.