Infineon IGBT / 50 A Doppelt, 1200 V 285 W AG-34MM Fahrgestell

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260-8888
Herst. Teile-Nr.:
FF50R12RT4HOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

285W

Anzahl an Transistoren

2

Konfiguration

Doppelt

Gehäusegröße

AG-34MM

Montageart

Fahrgestell

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.25V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das infineon Dual IGBT-Modul ist eine 34 mm 1200 V, 50 A schnelle TRENCHSTOP IGBT4 und emittergesteuerte 4-Diode. VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten bietet Flexibilität, optimale elektrische Leistung und höchste Zuverlässigkeit.

Erweiterte Betriebstemperatur

Geringe Schaltverluste

Niedriger VCEsat

Isolierte Grundplatte

Standardgehäuse

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