Teile-Nr.

Infineon IGBT / 50 A ±20V max. Dual, 1200 V 285 W AG-34MM

RS Best.-Nr.:: 260-8887
Herst. Teile-Nr.:: FF50R12RT4HOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 50 A ±20V max. Dual, 1200 V 285 W AG-34MM

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RS Best.-Nr.:: 260-8887
Herst. Teile-Nr.:: FF50R12RT4HOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	50 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	285 W
	Anzahl an Transistoren	2
	Konfiguration	Dual
	Gehäusegröße	AG-34MM
	Montage-Typ	Chassismontage

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 50 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 285 W
	Anzahl an Transistoren 2
	Konfiguration Dual
	Gehäusegröße AG-34MM
	Montage-Typ Chassismontage

Datasheet - FF50R12RT4HOSA1

Das infineon Dual IGBT-Modul ist eine 34 mm 1200 V, 50 A schnelle TRENCHSTOP IGBT4 und emittergesteuerte 4-Diode. VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten bietet Flexibilität, optimale elektrische Leistung und höchste Zuverlässigkeit.

Erweiterte Betriebstemperatur
Geringe Schaltverluste
Niedriger VCEsat
Isolierte Grundplatte
Standardgehäuse

Infineon IGBT / 50 A ±20V max. Dual, 1200 V 285 W AG-34MM

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