Teile-Nr.

Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

RS Best.-Nr.:: 253-9837
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12N2T7PB11BPSA1
Marke:: Infineon

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RS Best.-Nr.:: 253-9837
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12N2T7PB11BPSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	20mW
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	1.85V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	107.5mm
	Höhe	17mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Serie	FP75R12N2T7PB11B
	Breite	45 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 20mW
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 107.5mm
	Höhe 17mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Serie FP75R12N2T7PB11B
	Breite 45 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FP75R12N2T7PB11BPSA1

Die Serie FP75 von Infineon ist ein EconoPIM 2-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT, NTC oder TIM.

Niedriger VCEsat-Überlastbetrieb bis zu 175 °C Hohe Leistungs- und thermische Zyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Basisplatte PessFIT-Kontakttechnologie Voranlegtes thermisches Schnittstellenmaterial

Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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