Teile-Nr.

Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

RS Best.-Nr.:: 253-9837
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12N2T7PB11BPSA1
Marke:: Infineon

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.100.01

Auf Lager

10 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück
1 - 1	CHF.100.01
2 - 4	CHF.95.02
5 +	CHF.91.02

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 253-9837
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12N2T7PB11BPSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	20mW
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	1.85V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Serie	FP75R12N2T7PB11B
	Breite	45 mm
	Höhe	17mm
	Länge	107.5mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 20mW
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Serie FP75R12N2T7PB11B
	Breite 45 mm
	Höhe 17mm
	Länge 107.5mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FP75R12N2T7PB11BPSA1

Die Serie FP75 von Infineon ist ein EconoPIM 2-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT, NTC oder TIM.

Niedriger VCEsat-Überlastbetrieb bis zu 175 °C Hohe Leistungs- und thermische Zyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Basisplatte PessFIT-Kontakttechnologie Voranlegtes thermisches Schnittstellenmaterial

Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

Verwandte Links