Infineon IGBT, 1200 V 20 mW
- RS Best.-Nr.:
- 253-9836
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12N2T7PB11BPSA1
- Marke:
- Infineon
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CHF.949.10
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Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 10 + | CHF.94.91 | CHF.949.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 253-9836
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12N2T7PB11BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 17mm | |
| Länge | 107.5mm | |
| Serie | FP75R12N2T7PB11B | |
| Breite | 45 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 17mm | ||
Länge 107.5mm | ||
Serie FP75R12N2T7PB11B | ||
Breite 45 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Serie FP75 von Infineon ist ein EconoPIM 2-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT, NTC oder TIM.
Niedriger VCEsat-Überlastbetrieb bis zu 175 °C Hohe Leistungs- und thermische Zyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Basisplatte PessFIT-Kontakttechnologie Voranlegtes thermisches Schnittstellenmaterial
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