Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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253-9850
Herst. Teile-Nr.:
FS150R12N3T7BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.85V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

17mm

Länge

122mm

Serie

FS150R12N3T7B

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

62.5Zoll

Automobilstandard

Nein

Das Infineon FS150 ist ein EconoPACK 3-Modul mit IGBT7 und emittergesteuerter Diode und NTC.

Niedriger VCEsat-Überlastbetrieb bis zu 175 °C Integrierter NTC-Temperatursensor Hohe Leistung und thermische Zyklusfähigkeit Lötkontakttechnologie Kupfer-Sockelplatte

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