Infineon IGBT / 200 A Gemeinsamer Emittent, 1700 V 1250 W, 7-Pin 62MMH N-Kanal Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-2916
- Herst. Teile-Nr.:
- FF200R17KE4HOSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2916
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- FF200R17KE4HOSA1
- Marke:
- Infineon
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 200A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1700V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1250W | |
| Gehäusegröße | 62MMH | |
| Konfiguration | Gemeinsamer Emittent | |
| Montageart | Panel | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.45V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 61.4mm | |
| Höhe | 30.5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61140 | |
| Länge | 106.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 200A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1700V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1250W | ||
Gehäusegröße 62MMH | ||
Konfiguration Gemeinsamer Emittent | ||
Montageart Panel | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.45V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 61.4mm | ||
Höhe 30.5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61140 | ||
Länge 106.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das zweifache IGBT-Modul von Infineon mit schnellem IGBT4 und emittergesteuerter 4-Diode.
Optimale elektrische Leistung
Höchste Zuverlässigkeit
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