Infineon IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 20 mW, 31-Pin EconoPIM2 Typ N-Kanal Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-2928
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12N2T7BPSA2
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.105.525
Vorübergehend ausverkauft
- 15 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.105.53 |
| 5 - 9 | CHF.103.44 |
| 10 - 24 | CHF.95.94 |
| 25 - 49 | CHF.88.70 |
| 50 + | CHF.86.48 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2928
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12N2T7BPSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gehäusegröße | EconoPIM2 | |
| Konfiguration | Gemeinsamer Emittent | |
| Montageart | Panel | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 31 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.77V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 107.5mm | |
| Breite | 45 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Höhe | 20.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gehäusegröße EconoPIM2 | ||
Konfiguration Gemeinsamer Emittent | ||
Montageart Panel | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 31 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.77V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 107.5mm | ||
Breite 45 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Höhe 20.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das dreiphasige PIM-IGBT-Modul von Infineon mit IGBT7, emittergesteuerter 7-Diode und NTC. Die PIM (Power Integrated Modules) mit Integration von Gleichrichter und Bremschraubendreher ermöglicht Einsparungen bei den Systemkosten.
Hohe Zuverlässigkeit und Leistungsdichte
Kupfer-Sockelplatte für optimierte Wärmeverteilung
Hohe Leistungsdichte
Lötkontakttechnologie