onsemi IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247-4L Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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Herst. Teile-Nr.:
FGY4L75T120SWD
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

652W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247-4L

Konfiguration

Gemeinsamer Emittent

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

4

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

22.54mm

Länge

15.8mm

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der IGBT und die Gen7-Diode von ON Semiconductor in einem TO247-Gehäuse mit 4 Anschlussdrähten bieten eine optimale Leistung mit geringen Schalt- und Leitungsverlusten und ermöglichen einen hocheffizienten Betrieb. Diese Komponenten sind für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen wie Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Energiespeichersystemen (ESS) konzipiert und bieten ein zuverlässiges und effizientes Energiemanagement in diesen anspruchsvollen Umgebungen.

Hohe Strombelastbarkeit

Reibungsloses und optimiertes Umschalten

Geringer Schaltverlust

RoHS-Konformität

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