onsemi IGBT / 75 A ±20V max. , 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247-4L N-Kanal

RS Stock No.:: 277-080
Mfr. Part No.:: FGY4L75T120SWD
Brand:: onsemi

onsemi IGBT / 75 A ±20V max. , 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247-4L N-Kanal

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RS Stock No.:: 277-080
Mfr. Part No.:: FGY4L75T120SWD
Brand:: onsemi

Specifications

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Product Details

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Select all	Attribute	Value
	Marke	onsemi
	Dauer-Kollektorstrom max.	75 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	652 W
	Anzahl an Transistoren	1
	Konfiguration	Common Emitter
	Gehäusegröße	TO-247-4L
	Montage-Typ	THT
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	4

	Select all
	Marke onsemi
	Dauer-Kollektorstrom max. 75 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 652 W
	Anzahl an Transistoren 1
	Konfiguration Common Emitter
	Gehäusegröße TO-247-4L
	Montage-Typ THT
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 4

Datasheet - FGY4L75T120SWD

COO (Country of Origin):: CN

Der IGBT und die Gen7-Diode von ON Semiconductor in einem TO247-Gehäuse mit 4 Anschlussdrähten bieten eine optimale Leistung mit geringen Schalt- und Leitungsverlusten und ermöglichen einen hocheffizienten Betrieb. Diese Komponenten sind für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen wie Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Energiespeichersystemen (ESS) konzipiert und bieten ein zuverlässiges und effizientes Energiemanagement in diesen anspruchsvollen Umgebungen.

Hohe Strombelastbarkeit
Reibungsloses und optimiertes Umschalten
Geringer Schaltverlust
RoHS-Konformität

onsemi IGBT / 75 A ±20V max. , 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247-4L N-Kanal

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