onsemi IGBT / 140 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 1.25 kW, 4-Pin TO-247-4L Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 277-078
- Herst. Teile-Nr.:
- FGY4L140T120SWD
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.13.585
Auf Lager
- 40 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.13.59 |
| 10 - 99 | CHF.12.23 |
| 100 + | CHF.11.27 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 277-078
- Herst. Teile-Nr.:
- FGY4L140T120SWD
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 140A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25kW | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Konfiguration | Gemeinsamer Emittent | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 22.54mm | |
| Höhe | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 140A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25kW | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Konfiguration Gemeinsamer Emittent | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 22.54mm | ||
Höhe 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der IGBT und die Gen7-Diode von ON Semiconductor in einem TO247-Gehäuse mit 4 Anschlussdrähten bieten eine optimale Leistung mit geringen Schalt- und Leitungsverlusten und ermöglichen einen hocheffizienten Betrieb. Diese Komponenten sind für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen wie Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Energiespeichersystemen (ESS) konzipiert und bieten ein zuverlässiges und effizientes Energiemanagement in diesen anspruchsvollen Umgebungen.
Hohe Strombelastbarkeit
Reibungsloses und optimiertes Umschalten
Geringer Schaltverlust
RoHS-Konformität
Verwandte Links
- onsemi IGBT / 160 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 1.5 kW, 4-Pin TO-247-4L Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247-4L Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT / 200 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 1.07 kW, 4-Pin TO-247-4L Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT Gemeinsamer Emittent, 1200 V 2.4 kW, 7-Pin CTI Panel
- Infineon IGBT / 50 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 20 mW Modul Typ N-Kanal Panel
- Infineon IGBT / 70 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 400 W, 23-Pin Typ N-Kanal Panel
- Infineon IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 280 W, 28-Pin Modul Typ N-Kanal Panel
- Infineon IGBT / 100 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 20 mW, 31-Pin Modul Typ N-Kanal Panel
