onsemi IGBT / 140 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 1.25 kW, 4-Pin TO-247-4L Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.13.585

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 10 Einheit(en) mit Versand ab 30. März 2026
  • Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 23. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.13.59
10 - 99CHF.12.23
100 +CHF.11.27

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
277-078
Herst. Teile-Nr.:
FGY4L140T120SWD
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

140A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

1.25kW

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247-4L

Konfiguration

Gemeinsamer Emittent

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

4

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

5mm

Länge

22.54mm

Breite

15.8 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der IGBT und die Gen7-Diode von ON Semiconductor in einem TO247-Gehäuse mit 4 Anschlussdrähten bieten eine optimale Leistung mit geringen Schalt- und Leitungsverlusten und ermöglichen einen hocheffizienten Betrieb. Diese Komponenten sind für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen wie Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Energiespeichersystemen (ESS) konzipiert und bieten ein zuverlässiges und effizientes Energiemanagement in diesen anspruchsvollen Umgebungen.

Hohe Strombelastbarkeit

Reibungsloses und optimiertes Umschalten

Geringer Schaltverlust

RoHS-Konformität

Verwandte Links