onsemi IGBT / 100 A ±20V max. , 1200 V 1,07 kW, 4-Pin TO-247-4L N-Kanal

View all IGBT
Bulk discount available

Subtotal (1 unit)*

CHF.10.658

Add to Basket
Select or type quantity
Auf Lager
  • Zusätzlich 20 Einheit(en) mit Versand ab 09. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Units
Per unit
1 - 9CHF.10.66
10 - 99CHF.9.60
100 - 499CHF.8.86
500 - 999CHF.8.21
1000 +CHF.7.36

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
277-076
Mfr. Part No.:
FGY4L100T120SWD
Brand:
onsemi
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

1,07 kW

Konfiguration

Common Emitter

Gehäusegröße

TO-247-4L

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

4

COO (Country of Origin):
CN
Der IGBT und die Gen7-Diode von ON Semiconductor in einem TO247-Gehäuse mit 4 Anschlussdrähten bieten eine optimale Leistung mit geringen Schalt- und Leitungsverlusten und ermöglichen einen hocheffizienten Betrieb. Diese Komponenten sind für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen wie Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Energiespeichersystemen (ESS) konzipiert und bieten ein zuverlässiges und effizientes Energiemanagement in diesen anspruchsvollen Umgebungen.

Hohe Strombelastbarkeit
Reibungsloses und optimiertes Umschalten
Geringer Schaltverlust
RoHS-Konformität

Related links