Infineon IGBT / 40 A, 600 V 170 W, 3-Pin PG-TO263-3 Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-7447
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB20N60H3ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
50 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 39.90 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF 11.92
Auf Lager
- Zusätzlich 964 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF 5.959 | CHF 11.93 | - |
| 50 - 98 | CHF 5.161 | CHF 10.32 | CHF 39.90 |
| 100 - 248 | CHF 4.202 | CHF 8.40 | CHF 175.70 |
| 250 - 498 | CHF 4.131 | CHF 8.26 | CHF 457.00 |
| 500 + | CHF 4.00 | CHF 8.00 | CHF 979.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7447
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB20N60H3ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.5V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 9.45mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC | |
| Breite | 10.31mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gehäusegröße PG-TO263-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.5V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 9.45mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC | ||
Breite 10.31mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons IGBT ist ein Hochgeschwindigkeits-IGBT in Trench- und Field-Stop-Technologie. Dieser IGBT hat eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser IGBT wird für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Schweißumrichter und Umrichter mit hoher Schaltfrequenz empfohlen.
Niedrige EMI
Halogenfrei
RoHS-konform
Sehr niedriger VCEsat
Pb-freie Bleibeschichtung
Sehr weiche und schnell erholende Antiparallel-Diode
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 40 A, 600 V 170 W, 3-Pin PG-TO263-3 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 60 A, 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO263-3 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 41 A, 600 V 166 W, 3-Pin PG-TO263-3 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 40 A, 600 V 170 W, 3-Pin PG-TO-247 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 20 A, 600 V 170 W, 3-Pin PG-TO220-3 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 40 A, 600 V 306 W, 3-Pin PG-TO-247 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 8 A, 600 V 42 W, 3-Pin PG-TO220-3 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 60 A, 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO220-3 Durchsteckmontage