STMicroelectronics IGBT / 4 A ±20V max. , 600 V 75 W, 3-Pin DPAK

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.1.008

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 28CHF.0.504CHF.1.00
30 - 58CHF.0.452CHF.0.90
60 - 118CHF.0.399CHF.0.81
120 - 238CHF.0.357CHF.0.73
240 +CHF.0.357CHF.0.71

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
287-7045
Herst. Teile-Nr.:
STGD4H60DF
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

4 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

75 W

Gehäusegröße

DPAK

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Ursprungsland:
CN
Der Trench-Gate-Feldstop von STMicroelectronics ist ein IGBT, der mit einer fortschrittlichen, proprietären Trench-Gate-Feldstop-Struktur entwickelt wurde. Dieses Gerät ist Teil der H-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad von Hochschaltfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

Geringer Wärmewiderstand
Kurzschlussfestigkeit
Weiche und schnell erholsame antiparallele Diode

Verwandte Links