STMicroelectronics IGBT / 10 A, 375 V 125 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 686-8341
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB10NB37LZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 686-8341
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB10NB37LZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 10A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 375V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 8μs | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.8V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Länge | 28.9mm | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 10A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 375V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 8μs | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.8V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.6mm | ||
Länge 28.9mm | ||
Breite 10.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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