STMicroelectronics IGBT / 20 A 12V max., 375 V, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
686-8341
Herst. Teile-Nr.:
STGB10NB37LZT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

20 A

Kollektor-Emitter-Spannung

375 V

Gate-Source Spannung max.

12V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.4 x 9.35 x 4.6mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

-65 °C

IGBT, diskret, STMicroelectronics



IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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