Vishay IGBT 375 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 180-8025
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM70060E-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.13.495
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.699 | CHF.13.49 |
| 50 - 120 | CHF.2.426 | CHF.12.15 |
| 125 - 245 | CHF.2.163 | CHF.10.79 |
| 250 - 495 | CHF.1.974 | CHF.9.87 |
| 500 + | CHF.1.754 | CHF.8.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8025
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM70060E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10.414 mm | |
| Länge | 15.875mm | |
| Serie | ThunderFET | |
| Energie | 125mJ | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10.414 mm | ||
Länge 15.875mm | ||
Serie ThunderFET | ||
Energie 125mJ | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 5,6 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 375 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• AC/DC-Schaltnetzteile
• Batterie- und Batteriemanagement
• DC/AC-Wechselrichter
• DC/DC-Wandler
• Beleuchtung
• Motorantriebsschalter
• Synchroner Gleichrichter
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen