Vishay SUM70060E-GE3 IGBT

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.13.495

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 5 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.2.699CHF.13.49
50 - 120CHF.2.426CHF.12.15
125 - 245CHF.2.163CHF.10.79
250 - 495CHF.1.974CHF.9.87
500 +CHF.1.754CHF.8.77

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
180-8025
Herst. Teile-Nr.:
SUM70060E-GE3
Marke:
Vishay
Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 5,6 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 375 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• AC/DC-Schaltnetzteile
• Batterie- und Batteriemanagement
• DC/AC-Wechselrichter
• DC/DC-Wandler
• Beleuchtung
• Motorantriebsschalter
• Synchroner Gleichrichter
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Verwandte Links