Vishay SUM70060E-GE3 IGBT

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RS Best.-Nr.:
180-7419
Herst. Teile-Nr.:
SUM70060E-GE3
Marke:
Vishay
Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 5,6 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 375 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• AC/DC-Schaltnetzteile
• Batterie- und Batteriemanagement
• DC/AC-Wechselrichter
• DC/DC-Wandler
• Beleuchtung
• Motorantriebsschalter
• Synchroner Gleichrichter
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

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