Vishay N-Kanal N-Kanal MOSFET 200 V / 90 A 375 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
SUM90140E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

N-Kanal MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.017Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

N-Kanal

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.875mm

Breite

10.414 mm

Automobilstandard

Nein

The Vishay SUM90140E is a N-channel 175°C maximum junction temperature MOSFET having drain to source voltage(Vds) of 200V and gate to source voltage (VGS) 20V. It is having D2PAK (TO-263) package. It is offers drain to source resistance (RDS.) of 0.017ohms at 10VGS and 0.018ohms at 7.5VGS. Maximum drain current 90A.

Thunder FET power MOSFET

Maximum 175°C junction temperature

100 % Rg and UIS tested

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