Vishay SUM70040E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 375 W, 3-Pin SUM70040E-GE3 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 124-2248
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM70040E-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.132 | CHF.10.65 |
| 50 - 120 | CHF.1.575 | CHF.7.88 |
| 125 - 245 | CHF.1.428 | CHF.7.15 |
| 250 - 495 | CHF.1.281 | CHF.6.38 |
| 500 + | CHF.1.176 | CHF.5.86 |
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- RS Best.-Nr.:
- 124-2248
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM70040E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SUM70040E | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 9.65mm | |
| Breite | 10.41 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.82mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SUM70040E | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 9.65mm | ||
Breite 10.41 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.82mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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