Vishay SUM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 150 A 375 W, 7-Pin TO-263-7L
- RS Best.-Nr.:
- 280-0034
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM70042M-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SUM70042M-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SUM | |
| Gehäusegröße | TO-263-7L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00383Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 126nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.74V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.414mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SUM | ||
Gehäusegröße TO-263-7L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00383Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 126nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.74V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.414mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Vollständig bleifreies Bauteil
Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl
100 Prozent Rg und UIS getestet
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