Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 150 A 375 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 228-2982
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM60061EL-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- 228-2982
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM60061EL-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 145nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 145nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay P-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.
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