Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 150 A 375 W, 3-Pin SUM90100E-GE3 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
SUM90100E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72.8nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 200-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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