STMicroelectronics IGBT / 10 A, 375 V 125 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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686-8341P
Herst. Teile-Nr.:
STGB10NB37LZT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

10A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

375V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

8μs

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

12 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.6mm

Länge

28.9mm

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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