Semikron Danfoss Schnelles IGBT4-Modul / 232 A, 1200 V, 5-Pin SEMITRANS2 N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 687-4951
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM150GAL12T4
- Marke:
- Semikron Danfoss
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- Semikron Danfoss
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 232A | |
| Produkt Typ | Schnelles IGBT4-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Gehäusegröße | SEMITRANS2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 180ns | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 94mm | |
| Höhe | 30.1mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60747-1 | |
| Breite | 34mm | |
| Serie | GAL | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 232A | ||
Produkt Typ Schnelles IGBT4-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Gehäusegröße SEMITRANS2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 5 | ||
Schaltgeschwindigkeit 180ns | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 94mm | ||
Höhe 30.1mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60747-1 | ||
Breite 34mm | ||
Serie GAL | ||
Automobilstandard Nein | ||
Einfach-IGBT-Module
SEMIKRON bietet IGBT- (Insulated-Gate Bipolar Transistor) Module in SEMITRANS-, SEMiX- und SEMITOP-Paketen in verschiedenen Topologien, Strom und Nennspannungen.
IGBT-Module, Semikron
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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