Semikron Danfoss / 200 A Halbbrücke, 1200 V

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
248-6700
Herst. Teile-Nr.:
SKM200GB12F4
Marke:
Semikron Danfoss
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Semikron Danfoss

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

200A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

2

Konfiguration

Halbbrücke

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

15.0 V

Die IGBT-Module der Serie SEMITRANS von Semikron haben eine Spannung von 1200 V zwischen Kollektor und Emitter. Es wird hauptsächlich in USV, elektronischen Schweißgeräten, induktiven Heizungen und Schaltnetzteilen eingesetzt.

Erhöhte Leistungszyklusfähigkeit

Isolierte Kupfer-Sockelplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper)

Für höhere Schaltfrequenzen über 15 kHz

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.