Semikron / 150 A Halbbrücke, 1.2 kV
- RS Best.-Nr.:
- 248-6696
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM150GB12F4
- Marke:
- Semikron
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 248-6696
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM150GB12F4
- Marke:
- Semikron
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) | 150 A | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) | 1.2 kV | |
| Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) | 15.0 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) 150 A | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) 1.2 kV | ||
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) 15.0 V | ||
The Semikron SEMITRANS series IGBT module has 1200 v collector to emitter voltage. It is mainly used in UPS, electronic welders, inductive heating, Switched Mode power supplies.
Increased power cycling capability
Insulated copper baseplate using DBC technology (Direct Bonded Copper)
For higher switching frequencies above 15kHz
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