Semikron Danfoss IGBT-Modul / 151 A ±20V max., 600 V, 70-Pin SEMITOP4 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
905-6166
Herst. Teile-Nr.:
SK 150 MLI 066 T
Marke:
Semikron Danfoss
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Marke

Semikron Danfoss

Dauer-Kollektorstrom max.

151 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Konfiguration

Serie

Gehäusegröße

SEMITOP4

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

70

Transistor-Konfiguration

Serie

Abmessungen

55 x 60.25 x 15.08mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Ursprungsland:
IT

Vierfach-IGBT-Module


Aufgrund der Serienkonfiguration dieser Semikron-Vierfach-IGBT-Module sind sie die perfekte Lösung für Anwendungen, bei denen eine 3-Ebenen-Topologie mit hoher Leistung erforderlich ist. Diese kompakten SEMITOP-3-Module für Leiterplattenmontage verfügen über eine Einlochbefestigung mit ausgezeichneter Wärmeübertragung und nutzen die Trench-IGBT-Technologie. Zu den typischen Anwendungen gehören 3-phasige DC/AC-Wechselrichter und USV-Netzteile.


IGBT-Module, Semikron


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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