Semikron Danfoss SEMITOP, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V / 29 A
- RS Best.-Nr.:
- 351-849
- Herst. Teile-Nr.:
- SK30DMD120RM04ETE2
- Marke:
- Semikron Danfoss
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SEMITOP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 91nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 57 mm | |
| Länge | 63mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61340/UL | |
| Höhe | 12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SEMITOP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 91nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 57 mm | ||
Länge 63mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61340/UL | ||
Höhe 12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IT
Der Semikron SiC-MOSFET-RM-Wandler-Wechselrichter verfügt über einen Nennstrom von 29 A und ein 1200-V-Graben-Gen4-SiC-MOSFET-Design für effiziente Schaltleistung. Er enthält die PEP-Gleichrichterdioden-Technologie für verbesserte Leistung und Robustheit gegenüber Umwelteinflüssen sowie einen integrierten NTC-Temperatursensor für die thermische Überwachung. UL-anerkannt unter der Datei-Nr. E63532.
Optimiertes Design für hervorragende thermische Leistung
Konstruktion mit niedriger Induktivität
Press-Fit Kontakttechnik
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