Semikron Danfoss SEMITOP, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V / 267 A SEMITOP E2

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RS Best.-Nr.:
351-860
Herst. Teile-Nr.:
SK250MB120CR03TE2
Marke:
Semikron Danfoss
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Marke

Semikron Danfoss

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

267A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SEMITOP

Gehäusegröße

SEMITOP E2

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.2mΩ

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

708nC

Durchlassspannung Vf

4.6V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

12mm

Breite

57 mm

Länge

63mm

Normen/Zulassungen

IEC 60747-1, UL

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IT
Die Semikron SiC-MOSFET WS-Halbbrücke hat einen Nennstrom von 267 A und lässt sich einfach mit einer Gate-Spannung von +15 V ansteuern. Er bietet eine optimierte Schaltstabilität mit modulintegrierten Gate-Widerständen und verfügt über einen integrierten NTC-Temperatursensor für eine effiziente thermische Überwachung. UL-anerkannt unter der Datei-Nr. E63532.

Optimiertes Design für hervorragende thermische Leistung

Extrem niederinduktives Design

Pressfit-Kontakttechnik

1200V Planar Gen3 SiC MOSFET

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