Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 600 V 428 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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754-5402
Herst. Teile-Nr.:
IKW75N60TFKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

428 W

Gehäusegröße

TO-247

Konfiguration

Single

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

20kHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

16.03 x 21.1 x 5.16mm

Gate-Kapazität

4620pF

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Infineon IGBT, 80 A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 600 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - IKW75N60TFKSA1


Dieser IGBT ist ein Hochleistungs-Halbleiterbauelement, das für Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Mit einem maximalen kontinuierlichen Kollektorstrom von 80 A arbeitet er effizient in Hochspannungsumgebungen, die für 600 V ausgelegt sind. Der Baustein ist in einem TO-247-Gehäuse untergebracht, das sich ideal für die Durchsteckmontage eignet.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung erhöht den Wirkungsgrad
• Hohe Schaltgeschwindigkeit reduziert Energieverluste im Betrieb
• Positiver Temperaturkoeffizient gewährleistet stabile Leistung
• Kompatibel mit einem breiten Temperaturbereich von -40°C bis +175°C

Anwendungen


• Geeignet für den Einsatz in Frequenzumrichtern in industriellen Umgebungen
• Ideal für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme
• Einsatz in der Motorsteuerung für die Automatisierung
• Wirksam für Systeme zur Nutzung erneuerbarer Energien zur Gewährleistung der Effizienz

Wie wirkt sich die Kurzschlussfestigkeit auf meine Anwendung aus?


Die Kurzschlussfestigkeit von 5μs ermöglicht einen zuverlässigen Schutz in Anwendungen, die auf Fehlerbedingungen stoßen können, und stellt sicher, dass das Gerät kurze Überstromsituationen ohne sofortigen Ausfall überstehen kann.

Wie wirkt sich die hohe Schaltgeschwindigkeit auf die Systemeffizienz aus?


Die hohe Schaltgeschwindigkeit von 20 kHz minimiert die Energieverluste während der Übergänge und verbessert so die Gesamteffizienz und Leistung des Systems, insbesondere bei reaktionsschnellen Anwendungen, erheblich.

Welche Überlegungen gibt es zum Wärmemanagement für eine optimale Leistung?


Die Wärmewiderstandswerte geben die effektive Wärmeabgabe von der Verbindungsstelle zum Gehäuse an

die Beherrschung der Sperrschichttemperaturen innerhalb der vorgegebenen Grenzen ist entscheidend für einen zuverlässigen Betrieb und eine lange Lebensdauer der Komponenten.


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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