STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 795-7041
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB10NC60HDT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.10.975
Auf Lager
- Zusätzlich 125 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
- Zusätzlich 410 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.195 | CHF.10.96 |
| 25 - 45 | CHF.2.079 | CHF.10.42 |
| 50 - 120 | CHF.1.88 | CHF.9.39 |
| 125 - 245 | CHF.1.68 | CHF.8.42 |
| 250 + | CHF.1.607 | CHF.8.01 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 795-7041
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB10NC60HDT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 10 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 65 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 10 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 65 W | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- onsemi IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 110 W TO-263-3
- STMicroelectronics IGBT / 20 A 12V max., 375 V, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 298 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal