Toshiba Diskreter IGBT / 50 A, 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 796-5064P
- Herst. Teile-Nr.:
- GT50JR22
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 49 | CHF.4.08 |
| 50 - 124 | CHF.3.99 |
| 125 - 249 | CHF.3.94 |
| 250 + | CHF.3.86 |
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- RS Best.-Nr.:
- 796-5064P
- Herst. Teile-Nr.:
- GT50JR22
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | Diskreter IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | 6.5th generation | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ Diskreter IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie 6.5th generation | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBTs, diskret, Toshiba
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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