IXYS Einzelner IGBT / 100 A, 1.2 kV 350 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 804-7625
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-267
- Herst. Teile-Nr.:
- IXA70I1200NA
- Marke:
- IXYS
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- 804-7625
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-267
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- IXA70I1200NA
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 100A | |
| Produkt Typ | Einzelner IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350W | |
| Gehäusegröße | SOT-227B | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 70ns | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.8V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747 | |
| Serie | Planar | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 100A | ||
Produkt Typ Einzelner IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350W | ||
Gehäusegröße SOT-227B | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Schaltgeschwindigkeit 70ns | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.8V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747 | ||
Serie Planar | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT
Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen.
Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung
10 μs lange Kurzschlussauslösung
Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung
Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden
Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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