Teile-Nr.

onsemi IGBT / 26,9 A ±10V max., 300 V 166 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 807-0776
Herst. Teile-Nr.:: FGD3440G2-F085
Marke:: ON Semiconductor

onsemi IGBT / 26,9 A ±10V max., 300 V 166 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 807-0776
Herst. Teile-Nr.:: FGD3440G2-F085
Marke:: ON Semiconductor

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ON Semiconductor
	Dauer-Kollektorstrom max.	26,9 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	300 V
	Gate-Source Spannung max.	±10V
	Verlustleistung max.	166 W
	Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
	Montage-Typ	SMD
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Schaltgeschwindigkeit	1MHz
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Abmessungen	6.73 x 6.22 x 2.39mm
	Automobilstandard	AEC-Q100
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Betriebstemperatur min.	–40 °C

	Alle auswählen
	Marke ON Semiconductor
	Dauer-Kollektorstrom max. 26,9 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 300 V
	Gate-Source Spannung max. ±10V
	Verlustleistung max. 166 W
	Gehäusegröße DPAK (TO-252)
	Montage-Typ SMD
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Schaltgeschwindigkeit 1MHz
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Abmessungen 6.73 x 6.22 x 2.39mm
	Automobilstandard AEC-Q100
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Betriebstemperatur min. –40 °C

onsemi IGBT / 26,9 A ±10V max., 300 V 166 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal

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